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RTP電光晶體

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RTP電光晶體

RTP晶體,又稱為磷酸鈦氧銣,化學式為RbTiOPO4,是一種現(xiàn)在廣泛用于需要低開關電壓的電光應用的材料。RTP電光晶體具有機械與化學性能穩(wěn)定、非線性光學系數(shù)大、電光系數(shù)高、激光損傷閾值高、介電常數(shù)高、電阻率高、透光波段范圍寬、壓電振鈴效應低、插入損耗小、不易潮解、適用于高頻操作等優(yōu)點。RTP電光晶體在激光器、電光調制領域應用廣泛。RT電光P晶體可用來制造各種電光器件,中小功率激光器是其重要應用市場,例如用來制造高重復頻率調Q激光器、鎖模脈沖激光器、Er:YAG(摻鉬記鋁石榴石)激光器等;電光調制是RTP晶體的重要功能,利用此功能可用來制電光Q開關、相位調制器、脈沖選擇器、腔倒空器等產(chǎn)品,近年來,RTP電光晶體已經(jīng)成為電光Q開關的熱門材料。RTP晶體可以廣泛應用在工業(yè)激光加工、激光醫(yī)療、激光測距、科學勘探、國防軍工等領域。

特點:

  • 不潮解
  • 體積小
  • 高電阻率
  • 高消光比
  • 無壓電效應
  • 透明范圍廣
  • 高損傷閾值
  • 高溫穩(wěn)定性
  • 低半波電壓
  • 適用于高頻操作
  • 穩(wěn)定的機械和化學性能
  • 較大的非線性光學和電光系數(shù)

晶體規(guī)格

尺度公差±0.1mm
平整度<λ/8@633nm
表面質量10/5 S/D
并行性<30弧秒
垂直度<30弧分
角度公差Δθ<0.5°,ΔΦ<0.5°
涂層增透膜
通光孔徑>90%中心區(qū)域
傳輸波前失真<λ/8@633nm

晶體物化特性

晶體結構斜方
晶格參數(shù)a=12.96?,b=10.56?,c=6.49?
密度3.6g/cm3
熔點~1000℃
鐵電轉變溫度~810℃
莫氏硬度~5
熱膨脹系數(shù)(℃)a1=1.01× 10-5,a2=1.37× 10-5,a3=-4.17 ×10-6
吸濕性
介電常數(shù)13
顏色無色
離子導電率(室溫,10kHz)10-8 S/cm

晶體光學特性

透明范圍350-4500nm
消光比>20dB@633nm
Sellmeier方程nx2=2.15559+0.93307[1-(0.20994/λ)2]-0.01452λ2
ny2=2.38494+0.73603[1-(0.23891/λ)2]-0.01583λ2
nz2=2.27723+1.11030[1-(0.23454/λ)2]-0.01995λ2
電光常數(shù) r33=38.5pm/VY切
r33=35pm/V X切
r23=12.5pm/V
r13=10.6pm/V
1064nm靜態(tài)半波電壓4x4x20mm: 1600V
6x6x20mm: 2400V
9x9x20mm: 3600V

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